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Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Compara
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Puntuación global
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
66
En -89% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
66
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.9
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1953
2767
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
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