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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En -4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
3857
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
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