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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
11.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
5.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
1424
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
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