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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.3
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
3899
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
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Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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