RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
27
En -23% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
22
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
3035
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18JSF51272PZ-1G4D1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link