RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
2481
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905702-150.A00G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link