RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
2374
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link