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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Compara
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB vs Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Puntuación global
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En 23% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1976
2488
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 99P5429-006.A00Ls 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
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Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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