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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Compara
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
36
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
34
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
2468
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
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