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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB vs Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En -3% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
8.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
35
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.0
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2268
2654
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 16ATF2G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD64GX4M8B3200C16 8GB
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