RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3446
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link