RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3258
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link