RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
57
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3135
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link