RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
72
En 21% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
72
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
1728
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Team Group Inc. DDR4 3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW16GX4M1D3000C16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link