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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
57
En -171% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
21
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3437
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
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