RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
57
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3587
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link