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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
57
En -148% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.3
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.7
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
23
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
19.3
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
16.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
4015
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Jinyu 16GB
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
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