RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
53
57
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.5
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.6
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
53
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2301
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link