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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
57
En -111% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.2
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
27
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
10.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2764
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston KF560C40-16 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
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Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
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