RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
122
En 53% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
9.4
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
5.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
122
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
1411
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB Comparaciones de la memoria RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link