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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
57
En -68% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
34
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2812
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Crucial Technology CT25664BA1339.C8F1 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
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