RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
57
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.8
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
6.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2014
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905734-003.A00G 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Informar de un error
×
Bug description
Source link