RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
57
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.9
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
29
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
20.9
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
3806
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9965600-005.A00G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link