RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
57
En -6% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
54
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
15.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
2938
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link