RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Compara
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Puntuación global
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
57
En -138% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.5
5.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
57
24
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.5
6.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1244
1983
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]208F 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC4R1-B1GS 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link