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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
3729
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
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