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Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
30
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.8
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.3
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
30
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
14.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
3527
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
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