RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
33
En 18% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
33
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
3035
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link