RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Compara
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB vs Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Puntuación global
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
32
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.4
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
32
Velocidad de lectura, GB/s
13.9
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.9
13.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2418
1897
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link