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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
35
En 31% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
35
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
3371
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
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G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
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