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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
12.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
2925
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
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