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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
26
En 8% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
15.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
9.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
26
Velocidad de lectura, GB/s
15.5
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.3
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2402
3017
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
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