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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Kingston 9905403-437.A01LF 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Puntuación global
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
39
En -39% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.3
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
15.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2201
3673
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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