RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
17
35
En -106% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
21.6
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.7
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
17
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
21.6
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
17.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
3702
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6CFR8C
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link