RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
35
En -40% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
6.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.5
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
6.5
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1994
3731
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5273BH1-CH9 4GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C10 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link