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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Compara
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs AMD R744G2606U1S 4GB
Puntuación global
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Puntuación global
AMD R744G2606U1S 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
76
En 53% menor latencia
Razones a tener en cuenta
AMD R744G2606U1S 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.7
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
76
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
8.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
1809
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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