RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
36
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
18.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
3731
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-467.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link