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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.3
8.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
36
27
Velocidad de lectura, GB/s
13.7
15.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.2
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2687
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
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