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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB vs Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Puntuación global
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Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Puntuación global
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Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 12.6
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
    Valor medio en las pruebas
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    26 left arrow 36
    En -38% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 10600
    En 1.81 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    36 left arrow 26
  • Velocidad de lectura, GB/s
    13.7 left arrow 12.6
  • Velocidad de escritura, GB/s
    8.2 left arrow 6.2
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2208 left arrow 1970

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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
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