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Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Compara
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Puntuación global
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
40
En -18% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
40
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2124
2786
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
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