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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Compara
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
21
27
En -29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.7
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.1
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
21
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
18.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2489
3380
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
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