RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Compara
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
13
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2489
2104
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5403-466.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2400AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
SK Hynix Kingston 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link