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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Puntuación global
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
27
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
13
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
25
Velocidad de lectura, GB/s
13.0
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2489
2704
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
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Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
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