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Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Compara
Kingston 9905417-061.A00G 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Puntuación global
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
42
En 33% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
10
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.0
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
42
Velocidad de lectura, GB/s
10.0
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
9.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1664
2427
Kingston 9905417-061.A00G 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
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