RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
28
En 11% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2481
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link