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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
33
En 24% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2227
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
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