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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
67
En 63% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
67
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2030
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
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