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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
50
En 50% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
50
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2512
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
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