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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
34
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.9
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
34
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2239
2780
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5469-052.A00LF 4GB
Kingston 99U5403-185.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
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