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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Compara
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Puntuación global
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
122
En 80% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
122
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
9.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.3
5.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1896
1411
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-025.A00G 8GB
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905700-053.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
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